光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一，特別是近年來(lái)大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展 為了避免光刻膠線條的倒塌，線寬越小的光刻工藝 在這種情況下 ，更是大大促進(jìn)了光刻膠的研究開(kāi)發(fā)和應(yīng)用 。印刷工業(yè)是光刻膠應(yīng)用的另一重要領(lǐng)域。1954年由明斯克等人首先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸脂就是用于印刷工業(yè)的 ，以后才用于電子工業(yè) 。光刻膠是一種有機(jī)化合物，它被紫外光曝光后 ，在顯影溶液中的溶解度會(huì)發(fā)生變化 。硅片制造中所用的光刻膠以液態(tài)涂在硅片表面 ，而后被干燥成膠膜 。 ，就要求光刻膠的厚度越薄 。在20nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，光刻膠的厚度已經(jīng)減少到了100nm左右 。但是薄光刻膠不能有效的阻擋等離子體對(duì)襯底的刻蝕 。為此 ，研發(fā)了含Si的光刻膠，這種含Si光刻膠被旋涂在一層較厚的聚合物材料(常被稱作Underlayer) ，其對(duì)光是不敏感的 。曝光顯影后，利用氧等離子體刻蝕
，把光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到Underlayer上，在氧等離子體刻蝕條件下
，含Si的光刻膠刻蝕速率遠(yuǎn)小于Underlayer
，具有較高的刻蝕選擇性 。
，光刻膠的顆粒管控就顯得尤為重要
。PMT-2在光刻膠應(yīng)用中一般常用0.06-0.2um和0.1-0.5um，這兩個(gè)檢測(cè)范圍。普洛帝測(cè)控給某院某部門(mén)提供了成套的光刻膠檢測(cè)系統(tǒng)。本系統(tǒng)已經(jīng)應(yīng)用到實(shí)際監(jiān)測(cè)中，并良好運(yùn)轉(zhuǎn)。
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